Hersteller Produktnummer:
IRL60SL216
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRL60SL216-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventar:
12808672
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IRL60SL216 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15330 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRL60SL216
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001558100
2156-IRL60SL216
IFEINFIRL60SL216
IRL60SL216 -DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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