Hersteller Produktnummer:
IXFL32N120P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFL32N120P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 24A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Inventar:
12821544
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Menge
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IXFL32N120P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
21000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUSi5-Pak™
Paket / Koffer
ISOPLUSi5-PAK™
Basis-Produktnummer
IXFL32
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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