IXFH26N55Q
Hersteller Produktnummer:

IXFH26N55Q

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXFH26N55Q-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 550 V 26A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventar:

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12821553
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IXFH26N55Q Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFH26

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXFH26N55Q
HTML-Datenblatt
IXFH26N55Q-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STW19NM50N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
337
TEILNUMMER
STW19NM50N-DG
Einheitspreis
3.02
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Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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