Hersteller Produktnummer:
IXFH67N10Q
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFH67N10Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
12819869
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IXFH67N10Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFH67
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
HUF75639G3
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
415
TEILNUMMER
HUF75639G3-DG
Einheitspreis
1.49
ERSATZART
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