Hersteller Produktnummer:
IXFB210N20P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFB210N20P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 210A (Tc) 1500W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventar:
25 Stück Neu Original Auf Lager
12819873
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IXFB210N20P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 105A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
18600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS264™
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXFB210
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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