Hersteller Produktnummer:
IXFC110N10P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFC110N10P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventar:
12822707
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IXFC110N10P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™, PolarHT™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS220™
Paket / Koffer
ISOPLUS220™
Basis-Produktnummer
IXFC110N10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP60N10T
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
21
TEILNUMMER
IXTP60N10T-DG
Einheitspreis
1.10
ERSATZART
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