Hersteller Produktnummer:
IRFHM4226TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFHM4226TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Inventar:
12822708
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IRFHM4226TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TQFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRFHM4226TRPBFCT
IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
IRFHM4226TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSZ0901NSIATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5318
TEILNUMMER
BSZ0901NSIATMA1-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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