PJMP120N60EC_T0_00001
Hersteller Produktnummer:

PJMP120N60EC_T0_00001

Product Overview

Hersteller:

Panjit International Inc.

Teilenummer:

PJMP120N60EC_T0_00001-DG

Beschreibung:

600V SUPER JUNCITON MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220AB-L

Inventar:

1979 Stück Neu Original Auf Lager
12975376
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

PJMP120N60EC_T0_00001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1960 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
235W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB-L
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PJMP120

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
3757-PJMP120N60EC_T0_00001

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PJMH120N60EC_T0_00601
HERSTELLER
Panjit International Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
1800
TEILNUMMER
PJMH120N60EC_T0_00601-DG
Einheitspreis
2.31
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
nexperia

PSMP160-100YSX

MOSFET P-CH 100V LFPAK

goford-semiconductor

GT110N06S

MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8

goford-semiconductor

GT55N06D5

N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

nexperia

PMV28ENER

PMV28ENE/SOT23/TO-236AB