Hersteller Produktnummer:
IRFHS8242TRPBF
Product Overview
Hersteller:
International Rectifier
Teilenummer:
IRFHS8242TRPBF-DG
Beschreibung:
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Inventar:
177700 Stück Neu Original Auf Lager
12946436
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFHS8242TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
653 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-PQFN (2x2)
Paket / Koffer
6-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,689
Andere Namen
ROCIRFIRFHS8242TRPBF
2156-IRFHS8242TRPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDMS7672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
IRF6722MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
