Hersteller Produktnummer:
FQPF9P25YDTU
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQPF9P25YDTU-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventar:
705 Stück Neu Original Auf Lager
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FQPF9P25YDTU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
352
Andere Namen
ONSFSCFQPF9P25YDTU
2156-FQPF9P25YDTU
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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