AUIRFU8405
Hersteller Produktnummer:

AUIRFU8405

Product Overview

Hersteller:

International Rectifier

Teilenummer:

AUIRFU8405-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 163W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

510 Stück Neu Original Auf Lager
12978354
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

AUIRFU8405 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.98mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5171 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
163W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
291
Andere Namen
2156-AUIRFU8405
INFIRFAUIRFU8405

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
rohm-semi

SCT4036KEC11

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

nxp-semiconductors

BUK9609-75A,118

TRANSISTOR >30MHZ

goford-semiconductor

G30N02T

N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.

goford-semiconductor

G30N02T

MOSFET N-CH 20V 30A TO-220