Hersteller Produktnummer:
G30N02T
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G30N02T-DG
Beschreibung:
N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12978363
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G30N02T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 10 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
3141-G30N02T
4822-G30N02T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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