AUIRF7675M2TR
Hersteller Produktnummer:

AUIRF7675M2TR

Product Overview

Hersteller:

International Rectifier

Teilenummer:

AUIRF7675M2TR-DG

Beschreibung:

AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2

Inventar:

2988 Stück Neu Original Auf Lager
12946055
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

AUIRF7675M2TR Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DirectFET™ Isometric M2
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric M2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
267
Andere Namen
INFIRFAUIRF7675M2TR
2156-AUIRF7675M2TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
fairchild-semiconductor

FCP16N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

onsemi

2SK2632LS-CB11

2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-

fairchild-semiconductor

FCH077N65F-F085

MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

fairchild-semiconductor

FCH47N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4