Hersteller Produktnummer:
SPS01N60C3
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPS01N60C3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventar:
12805654
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SPS01N60C3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
11W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-11
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
SPS01N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
2156-SPS01N60C3-IT
SP000235876
INFINFSPS01N60C3
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD2HNK60Z-1
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3054
TEILNUMMER
STD2HNK60Z-1-DG
Einheitspreis
0.51
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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