Hersteller Produktnummer:
IRF6678
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6678-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12805660
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Menge
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IRF6678 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5640 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
SP001526792
IRF6678TR
IRF6678CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN2R0-30YL,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
20769
TEILNUMMER
PSMN2R0-30YL,115-DG
Einheitspreis
0.57
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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