Hersteller Produktnummer:
SPI80N10L
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPI80N10L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
13064307
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Menge
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SPI80N10L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4540 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3-1
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
SPI80N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000014351
SPI80N10LX
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD80N10F7
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2500
TEILNUMMER
STD80N10F7-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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LOW POWER_LEGACY
