Hersteller Produktnummer:
SPB18P06PGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPB18P06PGATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
2030 Stück Neu Original Auf Lager
13064319
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SPB18P06PGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SIPMOS®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
81.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SPB18P06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000102181
SPB18P06P G-ND
SPB18P06PGINDKR-ND
SPB18P06PGINDKR
SPB18P06PGINTR-ND
SPB18P06PGXT
SPB18P06PGINCT-ND
SPB18P06PGATMA1CT
SPB18P06PGINCT
SPB18P06PGATMA1TR
SPB18P06PGATMA1DKR
2156-SPB18P06PGATMA1
IFEINFSPB18P06PGATMA1
SPB18P06P G
SPB18P06PGINTR
SPB18P06PG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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