SPI47N10
Hersteller Produktnummer:

SPI47N10

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

SPI47N10-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 175W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Inventar:

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12808069
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SPI47N10 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
175W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3-1
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
SPI47N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SPI47N10
HTML-Datenblatt
SPI47N10-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000013951

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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