Hersteller Produktnummer:
SPU11N10
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPU11N10-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
Inventar:
12808080
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SPU11N10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 21µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
P-TO251-3-1
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
SPU11N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SPU11N10X
SP000013848
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU6NF10
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
STU6NF10-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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