Hersteller Produktnummer:
ISP25DP06NMXTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISP25DP06NMXTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
3973 Stück Neu Original Auf Lager
12807335
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ISP25DP06NMXTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
420 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
ISP25DP06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP004987272
ISP25DP06NMXTSA1-DG
448-ISP25DP06NMXTSA1DKR
448-ISP25DP06NMXTSA1TR
448-ISP25DP06NMXTSA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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