Hersteller Produktnummer:
TN5325N3-G-P002
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
TN5325N3-G-P002-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 215mA (Ta) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12807341
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TN5325N3-G-P002 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
215mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
110 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
TN5325
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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