ISC073N12LM6ATMA1
Hersteller Produktnummer:

ISC073N12LM6ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

ISC073N12LM6ATMA1-DG

Beschreibung:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 86A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Inventar:

4071 Stück Neu Original Auf Lager
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ISC073N12LM6ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 86A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3.3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
ISC073

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-ISC073N12LM6ATMA1TR
448-ISC073N12LM6ATMA1DKR
448-ISC073N12LM6ATMA1CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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