Hersteller Produktnummer:
ISC0703NLSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISC0703NLSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Inventar:
19253 Stück Neu Original Auf Lager
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ISC0703NLSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta), 57A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 15µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
ISC0703N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-ISC0703NLSATMA1TR
SP005417423
448-ISC0703NLSATMA1DKR
448-ISC0703NLSATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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