Hersteller Produktnummer:
ISC022N10NM6ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISC022N10NM6ATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V PG-TSON-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventar:
7305 Stück Neu Original Auf Lager
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ISC022N10NM6ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta), 230A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.24mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 147µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6880 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 254W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSON-8-3
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
ISC022N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP005339558
448-ISC022N10NM6ATMA1CT
448-ISC022N10NM6ATMA1DKR
448-ISC022N10NM6ATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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