Hersteller Produktnummer:
IPB320P10LMATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB320P10LMATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V PG-TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 6.5A (Ta), 63A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
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IPB320P10LMATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 5.55mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
219 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11000 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB320P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP005343863
448-IPB320P10LMATMA1TR
448-IPB320P10LMATMA1DKR
448-IPB320P10LMATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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