Hersteller Produktnummer:
IRLU8259PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLU8259PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 57A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12814022
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Menge
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IRLU8259PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
SP001574068
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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