Hersteller Produktnummer:
RU1L002SNTL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RU1L002SNTL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Inventar:
31377 Stück Neu Original Auf Lager
12814028
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RU1L002SNTL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3F
Paket / Koffer
SC-85
Basis-Produktnummer
RU1L002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RU1L002SNTLCT
846-RU1L002SNTLTR
846-RU1L002SNTLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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