Hersteller Produktnummer:
IRLR3303PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLR3303PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
12806655
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLR3303PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
525
Andere Namen
SP001558428
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRLMS2002TR
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
IRLH5036TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
SPB80N06S2-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
