Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRLH5036TR2PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLH5036TR2PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 20A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12806657
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLH5036TR2PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRLH5036TR2PBF
HTML-Datenblatt
IRLH5036TR2PBF-DG
Design-Ressourcen
IRLH5036TR2PBF Saber Model
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
IRLH5036TR2PBFCT
IRLH5036TR2PBFDKR
IRLH5036TR2PBFTR
SP001567268
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
CSD18531Q5AT
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
2239
TEILNUMMER
CSD18531Q5AT-DG
Einheitspreis
0.80
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
TPH4R606NH,L1Q
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
4980
TEILNUMMER
TPH4R606NH,L1Q-DG
Einheitspreis
0.79
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SPB80N06S2-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF7322D1
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IRFH5255TRPBF
MOSFET N-CH 25V 15A/51A 8PQFN
IRF6665TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET