Hersteller Produktnummer:
IRLI530N
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLI530N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
12806496
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Menge
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IRLI530N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRLI530N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLI530GPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
795
TEILNUMMER
IRLI530GPBF-DG
Einheitspreis
0.72
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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