Hersteller Produktnummer:
IRF830PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF830PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12806499
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Menge
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IRF830PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF830
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001560108
448-IRF830PBF
2156-IRF830PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF830PBF-BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
3320
TEILNUMMER
IRF830PBF-BE3-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IRF830PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
9086
TEILNUMMER
IRF830PBF-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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