Hersteller Produktnummer:
VN2210N2
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
VN2210N2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
596 Stück Neu Original Auf Lager
12808694
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VN2210N2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 10mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Basis-Produktnummer
VN2210
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
PCN-Baugruppe/Ursprung
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2266-VN2210N2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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