IRL2203NLPBF
Hersteller Produktnummer:

IRL2203NLPBF

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRL2203NLPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12806620
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRL2203NLPBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
116A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRL2203NLPBF
HTML-Datenblatt
IRL2203NLPBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRL2203NLPBF
SP001558636

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPP023NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

infineon-technologies

IRL60S216

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRF6727MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

infineon-technologies

IRF6717MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET