Hersteller Produktnummer:
IRF6717MTRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6717MTRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
8674 Stück Neu Original Auf Lager
12806628
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IRF6717MTRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.25mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6750 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX
Basis-Produktnummer
IRF6717
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
IRF6717MTRPBFDKR
SP001525458
IRF6717MTRPBF-DG
IRF6717MTRPBFCT
IRF6717MTRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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