Hersteller Produktnummer:
IRL100HS121
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRL100HS121-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 11A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventar:
1876 Stück Neu Original Auf Lager
12807535
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IRL100HS121 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
11.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paket / Koffer
6-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
IRL100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SP001592836
IRL100HS121TR
IRL100HS121DKR
IRL100HS121CT
IRL100HS121-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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