Hersteller Produktnummer:
IRFSL7537PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFSL7537PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
12804961
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFSL7537PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
173A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7020 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRFSL7537
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001578438
2156-IRFSL7537PBF-448
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFZ44ESTRL
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
IPD90N06S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPA80R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F