Hersteller Produktnummer:
IPA80R650CEXKSA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPA80R650CEXKSA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Inventar:
459 Stück Neu Original Auf Lager
12804965
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IPA80R650CEXKSA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 470µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA80R650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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