Hersteller Produktnummer:
IRFS3207ZTRRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFS3207ZTRRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
1582 Stück Neu Original Auf Lager
12818521
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IRFS3207ZTRRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6920 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRFS3207
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
IRFS3207ZTRRPBFDKR
SP001565050
IRFS3207ZTRRPBFCT
IRFS3207ZTRRPBFTR
IRFS3207ZTRRPBF-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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