Hersteller Produktnummer:
IRFS23N20DTRRP
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFS23N20DTRRP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12819709
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IRFS23N20DTRRP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1960 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
SP001565068
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCJ200N20TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
976
TEILNUMMER
RCJ200N20TL-DG
Einheitspreis
1.04
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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