Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IXFK120N25
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFK120N25-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12819712
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXFK120N25 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
560W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-264AA (IXFK)
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXFK120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IXFK120N25
HTML-Datenblatt
IXFK120N25-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFK140N30P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
202
TEILNUMMER
IXFK140N30P-DG
Einheitspreis
13.24
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTP12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
IXTP15N20T
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
IXFQ24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO3P
IXFR10N100Q
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247