Hersteller Produktnummer:
IRFS23N15D
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFS23N15D-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12818379
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Menge
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IRFS23N15D Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRFS23N15D
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOB256L
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOB256L-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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