Hersteller Produktnummer:
IRFL4315PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFL4315PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventar:
12814850
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFL4315PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
80
Andere Namen
SP001554908
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF1405ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
IPP015N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
SPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
