Hersteller Produktnummer:
LND150N3-G-P002
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
LND150N3-G-P002-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
1965 Stück Neu Original Auf Lager
12814877
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LND150N3-G-P002 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
LND150
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
150-LND150N3-G-P002DKR-DG
LND150N3-G-P002-DG
150-LND150N3-G-P002DKRINACTIVE
150-LND150N3-G-P002CT
150-LND150N3-G-P002DKR
150-LND150N3-G-P002TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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