IRFHS8342TR2PBF
Hersteller Produktnummer:

IRFHS8342TR2PBF

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRFHS8342TR2PBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-6

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12806715
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRFHS8342TR2PBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-6
Paket / Koffer
6-PowerVDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFHS8342TR2PBF
HTML-Datenblatt
IRFHS8342TR2PBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
400
Andere Namen
IRFHS8342TR2PBFCT
IRFHS8342TR2PBFDKR
IRFHS8342TR2PBFTR
SP001575842

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IRF7807TR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

infineon-technologies

IRLR3636PBF

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

infineon-technologies

IRLI3803PBF

MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP

infineon-technologies

SPD50N03S2-07

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3