Hersteller Produktnummer:
IRLR3636PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLR3636PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
12806721
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLR3636PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3779 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
143W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
SP001553190
2156-IRLR3636PBFINF
INFINFIRLR3636PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRLI3803PBF
MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
SPD50N03S2-07
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPB80N06S2L-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
