Hersteller Produktnummer:
IRFHS8242TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFHS8242TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventar:
442 Stück Neu Original Auf Lager
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IRFHS8242TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
653 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paket / Koffer
6-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
IRFHS8242
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
448-IRFHS8242TRPBFTR
448-IRFHS8242TRPBFCT
IRFHS8242TRPBF-DG
SP001554858
448-IRFHS8242TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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