Hersteller Produktnummer:
IXFJ32N50Q
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFJ32N50Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 32A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-268
Inventar:
12822899
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Menge
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IXFJ32N50Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3950 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-268
Paket / Koffer
TO-220-3, Short Tab
Basis-Produktnummer
IXFJ32
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFP34N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFP34N65X2-DG
Einheitspreis
3.29
ERSATZART
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