Hersteller Produktnummer:
IRFH8311TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFH8311TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 169A (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventar:
48418 Stück Neu Original Auf Lager
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IRFH8311TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Ta), 169A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4960 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-TQFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
IRFH8311
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRFH8311TRPBFDKR
IRFH8311TRPBFCT
IRFH8311TRPBFTR
SP001564136
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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