Hersteller Produktnummer:
IPW60R031CFD7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW60R031CFD7XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
376 Stück Neu Original Auf Lager
12801340
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPW60R031CFD7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ CFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 32.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.63mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5623 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW60R031
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SP001617992
IPW60R031CFD7XKSA1-DG
2156-IPW60R031CFD7XKSA1
448-IPW60R031CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD60R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPI26CN10N G
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
