Hersteller Produktnummer:
IRFH5020TR2PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFH5020TR2PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
13064169
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EINREICHEN
IRFH5020TR2PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Verpackung
Cut Tape (CT)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2290 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TPH6400ENH,L1Q
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
17990
TEILNUMMER
TPH6400ENH,L1Q-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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